Si C单晶结构

SiC单晶制备难点：> 220种晶型，最常见：3C(立方晶系)，2H、 4H和6H(六方晶系)，15R(三方晶系)；SiC没有熔点，无法用熔体提拉法进行制备；在1800℃以上开始升华，并分解成气态Si, Si2C, SiC和固态C（主要成分）；硅碳双原子层螺旋生长机理导致生长过程容易产生晶体缺陷。

SiC晶体生长技术对比

物理气相输运法生长 SiC晶体

采用中频电源感应加热的方式来对石墨坩埚进行加热，使 SiC粉末达到气化的温度（2100~2400度）；通过石墨坩埚、石墨保温层与电感线圈的相对位置，来提供晶体生长方向的温度梯度；在石墨坩埚的顶部固定碳化硅籽晶，提供晶体生长的模板；在生长方向（轴向）温度梯度的作用下，Si，SiC2，Si2C和SiC分别以气态从坩埚中输送到碳化硅籽晶表面，形成碳化硅晶体的生长；生长过程中，需控制好温度的梯度，以保证生长的初始阶段和中间过程都能够实现稳定的生长速率；生长的末期，还需要对晶体进行退火，以减小内部的应力。

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产品详情：

菠菜网址最新网址利用多晶金刚石良好的韧性，在研磨抛光过程中能够保持高磨削力的同时不易产生划伤。

可供规格：

应用领域：

1、 蓝宝石加工：蓝宝石衬底、LED芯片、窗口片、表镜片、手机指纹识别片、手机摄像头镜片等蓝宝石材料研磨或抛光。

2、 金属加工：不锈钢 、 铝件 、 铜件 、 模具钢 、 手机Logo 、 手机中框 、 手机卡槽 、 手机按键 、 手机背板 、 医疗器械件 、 模具等 超硬合金 金属材料研磨或抛光。

3、 陶瓷加工：氧化锆陶瓷异型件 、 陶瓷珠 、 陶瓷盘 、 氮化铝基板 、 陶瓷插芯 、手机 陶瓷盖板 、 陶瓷指纹件 、 手表陶瓷结构件 、 陶瓷套筒等陶瓷材料研磨或抛光。

4、 半导体加工：硅片、锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅、氮化镓等半导体材料研磨或抛光。

5、 红外晶体加工：激光晶体、磁光晶体、闪烁晶体、双折射晶体、非线性光学晶体等晶体材料研磨抛光 ； 硒化锌 、 锗 、 硅 、 硫化锌 、 氟化钙 、 氟化镁 、 铌酸锂 、 碳酸锂 、 硫系红外等红外材料研磨或抛光。

注意事项：

1、请使用前先摇匀；
2、在使用时，可用少量蒸馏水加以稀释，建议原液使用效果更佳；

3、根据客户工艺需求可选择适合粒度，及介质调整。

储存方式：

本品需在0-5℃以上储存，防止结冰，在零度以下因产生不可再分散结块而失效。

包装规格：

500ML/瓶，5L/桶。